STD1802. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD1802
Маркировка: D1802
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: DPAK
Аналоги (замена) для STD1802
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STD1802 даташит
std1802.pdf
STD1802 Low voltage fast-switching NPN power transistor Features Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast-switching speed Surface-mounting DPAK (TO-252) power 3 package in tape & reel (suffix T4) 1 TO-252 Description DPAK The device is manufactured in Planar technology (suffix T4 ) with Base Island l
std1802.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor STD1802 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.4V(Max)( I = 3A; I = 0.15A) CE(sat C B DC Current Gain -h = 100(Min)@ I = 3A FE C Fast -Switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS CCFL dirvers Voltage regulators Relay dirvers High efficiency l
std1802t4-a.pdf
STD1802T4-A Low voltage fast-switching NPN power transistor Features This device is qualified for automotive application Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic 3 Fast-switching speed 1 Surface-mounting DPAK (TO-252) power TO-252 package in tape & reel (suffix T4) DPAK (suffix T4 ) Description The device
std180n4f6.pdf
STD180N4F6 N-channel 40 V, 2.5 m typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STD180N4F6 40 V 2.8 m 80 A 130 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Figure 1 Internal schematic diagram Applications
Другие транзисторы: ST901T, ST93003, STB13005, STB13007DT4, STBV32, STBV42, STBV45, STD13003, BC549, STD1802T4A, STD1805, STD2805, STD616A, STD724, STD790A, STD815CP40, STD826
History: DTA113EE | BUL128 | GES3569 | CSA1162 | DTA113ZKAFRA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a




