Биполярный транзистор STD1802 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: STD1802
Маркировка: D1802
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: DPAK
Аналог (замена) для STD1802
STD1802 Datasheet (PDF)
std1802.pdf

STD1802Low voltage fast-switching NPN power transistorFeatures Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast-switching speed Surface-mounting DPAK (TO-252) power 3package in tape & reel (suffix T4)1 TO-252Description DPAKThe device is manufactured in Planar technology (suffix T4)with Base Island l
std1802.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor STD1802DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.4V(Max)( I = 3A; I = 0.15A)CE(sat C BDC Current Gain -h = 100(Min)@ I = 3AFE CFast -Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSCCFL dirversVoltage regulatorsRelay dirversHigh efficiency l
std1802t4-a.pdf

STD1802T4-ALow voltage fast-switching NPN power transistorFeatures This device is qualified for automotive application Very low collector to emitter saturation voltage High current gain characteristic3 Fast-switching speed1 Surface-mounting DPAK (TO-252) power TO-252package in tape & reel (suffix T4) DPAK (suffix T4)DescriptionThe device
std180n4f6.pdf

STD180N4F6 N-channel 40 V, 2.5 m typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - preliminary data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD180N4F6 40 V 2.8 m 80 A 130 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Figure 1: Internal schematic diagram Applications
Другие транзисторы... ST901T , ST93003 , STB13005 , STB13007DT4 , STBV32 , STBV42 , STBV45 , STD13003 , 2222A , STD1802T4A , STD1805 , STD2805 , STD616A , STD724 , STD790A , STD815CP40 , STD826 .
History: RT2N08M
History: RT2N08M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a