Биполярный транзистор STD901T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STD901T
Маркировка: D901T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1800
Корпус транзистора: DPAK
STD901T Datasheet (PDF)
std901t st901t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ST901TSTD901THigh voltage NPN Darlington transistor for ignition coilFeatures High voltage special Darlington structureTAB Very rugged bipolar technologyTAB High DC current gain31Application3DPAK21 High ruggedness electronic ignition for small TO-220enginesDescriptionThe device is a high voltage NPN transistor in Figure 1. Internal schematic
std90nh02l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V
std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V
std909.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD909STD910 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS ST PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4) ELECTRICAL SIMILAR TO BD909 ANDBD9103APPLICATIONS1 GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDAMPLIFIER GENERAL PURPOSE AMPLIFIERDPAKTO-252DESCRIPTION(Suffix T4)The STD909 and
std90nh02lt4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90NH02LSTD90NH02L-1N-channel 24V - 0.0052 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90NH02L-1 24V
std90n03l std90n03l-1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90N03LSTD90N03L-1N-channel 30V - 0.005 - 80A - DPAK/IPAKSTripFET III Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD90N03L 30V 0.0057 80A (1)STD90N03L-1 30V 0.0057 80A (1)332 11. Pulse width limited by safe operating area1 RDS(on)*Qg industrys benchmark Conduction losses reducedIPAKDPAK Switching losses reduced Low threshold
std90n02l-1 std90n02l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V
std90n02l std90n02l-1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90N02LSTD90N02L-1N-channel 25V - 0.0052 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDMaxSTD90N02L 25V
std90n4f3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD90N4F3www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM R
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .