2SC4666. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4666
Маркировка: PA_PB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600
Корпус транзистора: USM
Аналоги (замена) для 2SC4666
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4666 даташит
2sc4666.pdf
2SC4666 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4666 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Switching Applications High hFE h = 600 3600 FE High voltage V = 50 V CEO High collector current I = 150 mA (max) C Small package Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage V
2sc4667.pdf
2SC4667 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC4667 Ultra High Speed Switching Applications Unit mm Computer, Counter Applications High transition frequency fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time t = 15 ns (typ.) stg Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol R
2sc4660.pdf
Ordering number EN4692 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4660 High-Definition CRT Display Video Output Driver Applications Features Package Dimensions High fT (fT=2.2GHz typ) unit mm Large current (IC=300mA) 2042B Adoption of FBET process. [2SC4660] 8.0 4.0 3.3 1.0 1.0 3.0 1.6 0.8 0.8 0.75 0.7 1 Emitter 2 Collector 3 Base 2.4 4.8 SANYO TO-1
2sc4663.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4663 DESCRIPTION With ITO-220 package Switching power transistor PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base voltage Open emitter 250 V VCEO Collector-
Другие транзисторы: 2SA2154CT, 2SA2154MFV, 2SA2195, 2SA2214, 2SA2215, 2SA562TM, 2SC1815L, BUL62B, 2SD669, 2SC4738F, 2SC4738FT, 2SC5232, 2SC5233, 2SC5376, 2SC5376CT, 2SC5376F, 2SC5376FV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent






