2SC6026MFV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6026MFV

Маркировка: HY_HG

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: VESM

 Аналоги (замена) для 2SC6026MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6026MFV даташит

 ..1. Size:147K  toshiba
 2sc6026mfv.pdf pdf_icon

2SC6026MFV

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 3 2

 0.1. Size:162K  toshiba
 2sc6026mfv-y 2sc6026mfv-gr.pdf pdf_icon

2SC6026MFV

2SC6026MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026MFV General-Purpose Amplifier Applications Unit mm 1.2 0.05 High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) 0.80 0.05 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) 1 High hFE hFE = 120 to 400 1 Complementary to 2SA2154MFV 3 2

 7.1. Size:142K  toshiba
 2sc6026.pdf pdf_icon

2SC6026MFV

2SC6026 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6026 General-Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 100 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 400 Complementary to 2SA2154 1 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2

 7.2. Size:145K  toshiba
 2sc6026ct.pdf pdf_icon

2SC6026MFV

2SC6026CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC6026CT General Purpose Amplifier Applications Unit mm 0.6 0.05 High voltage and high current 0.5 0.03 VCEO = 50V, IC = 100mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 Complementary to 2SA2154CT Absolut

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5376CT, 2SC5376F, 2SC5376FV, 2SC5720, 2SC5765, 2SC5766, 2SC6026, 2SC6026CT, B647, 2SC6067, 2SC6100, 2SC6132, 2SC6133, 2SC6134, 2SC6135, 2SC752(G)TM, TTA1586FU