HN1C03FU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1C03FU

Маркировка: C3A_C3B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: US6

 Аналоги (замена) для HN1C03FU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1C03FU даташит

 ..1. Size:286K  toshiba
 hn1c03fu.pdf pdf_icon

HN1C03FU

HN1C03FU TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) HN1C03FU Unit mm For Muting and Switching Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) High emitter-base voltage V = 25V (min) EBO High reverse h reverse h = 150 (typ.)(V =-2V, I =-4mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.)(I = 5mA) ON B Absolute Maximum

 7.1. Size:310K  toshiba
 hn1c03f.pdf pdf_icon

HN1C03FU

HN1C03F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C03F For Muting And Switching Applications Unit in mm Including two devices in SM6 (Super mini type with 6 leads) High emitter-base voltage V = 25V (min) EBO High reverse h reverse h = 150 (typ.)(V =-2V, I =-4mA) FE FE CE C Low on resistance R = 1 (typ.)(IB = 5mA) ON Absolute Maximum Rating

 9.1. Size:240K  toshiba
 hn1c01fu.pdf pdf_icon

HN1C03FU

HN1C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current V = 50V, I = 150mA (max) CEO C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity FE h (I = 0.1mA) / h (I = 2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE C Absolute Maximum Ratings

 9.2. Size:180K  toshiba
 hn1c01fe.pdf pdf_icon

HN1C03FU

HN1C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1C01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HN1B04F, HN1B04FE, HN1B04FU, HN1B26FS, HN1C01F, HN1C01FE, HN1C01FU, HN1C03F, D882, HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU