Справочник транзисторов. HN2A26FS

 

Биполярный транзистор HN2A26FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2A26FS
   Маркировка: PF_PH
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: FS6
 

 Аналог (замена) для HN2A26FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2A26FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  toshiba
 hn2a26fs.pdf pdf_icon

HN2A26FS

HN2A26FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN2A26FS Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine-pitch, Small-Mold (6-pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 High voltage : VCEO = -50 V High current : IC = -100 mA (max) 1 6 High hFE : hFE = 120 to 400 Excellen

Другие транзисторы... HN1C01FU , HN1C03F , HN1C03FU , HN1C05FE , HN1C07F , HN1C26FS , HN2A01FE , HN2A01FU , 100DA025D , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F .

History: SBC856BDW1T1G | BSV84 | NKT141

 

 
Back to Top

 


 
.