HN2C01FE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN2C01FE

Маркировка: L1G_L1Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: ES6

 Аналоги (замена) для HN2C01FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2C01FE даташит

 ..1. Size:183K  toshiba
 hn2c01fe.pdf pdf_icon

HN2C01FE

HN2C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FE Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 C

 7.1. Size:234K  toshiba
 hn2c01fu.pdf pdf_icon

HN2C01FE

HN2C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FU Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE hFE = 120 400 Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2

Другие транзисторы: HN1C03F, HN1C03FU, HN1C05FE, HN1C07F, HN1C26FS, HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, 2N2222A, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU