Справочник транзисторов. HN2C01FE

 

Биполярный транзистор HN2C01FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2C01FE
   Маркировка: L1G_L1Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: ES6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HN2C01FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  toshiba
 hn2c01fe.pdf pdf_icon

HN2C01FE

HN2C01FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 C

 7.1. Size:234K  toshiba
 hn2c01fu.pdf pdf_icon

HN2C01FE

HN2C01FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN2C01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BC807K-16 | 2SA922-2 | 2SC2923 | 3CG953 | 2N1683 | PZTA28

 

 
Back to Top

 


 
.