HN3B01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN3B01F

Маркировка: 5A

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SM6

 Аналоги (замена) для HN3B01F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3B01F даташит

 ..1. Size:265K  toshiba
 hn3b01f.pdf pdf_icon

HN3B01F

 9.1. Size:84K  toshiba
 hn3b02fu.pdf pdf_icon

HN3B01F

HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNP NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm Q1 High voltage VCEO = -50V High current I = -150mA (max) C High h h = 120 400 FE FE Excellent h linearity h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C (typ.) Q2 High voltage V = 60V CEO Hi

Другие транзисторы: HN2A01FE, HN2A01FU, HN2A26FS, HN2C01FE, HN2C01FU, HN2C26FS, HN3A51F, HN3A56F, S9014, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, HN4A06J, HN4A08J, HN4A51J