Биполярный транзистор HN3B01F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN3B01F
Маркировка: 5A
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SM6
HN3B01F Datasheet (PDF)
9.1. Size:84K toshiba
hn3b02fu.pdf
hn3b02fu.pdf
HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmQ1 High voltage : VCEO = -50V High current : I = -150mA (max) C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity : h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C(typ.) Q2 High voltage : V = 60V CEO Hi
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050