Справочник транзисторов. HN3B01F

 

Биполярный транзистор HN3B01F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN3B01F
   Маркировка: 5A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SM6
 

 Аналог (замена) для HN3B01F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3B01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  toshiba
 hn3b01f.pdf pdf_icon

HN3B01F

 9.1. Size:84K  toshiba
 hn3b02fu.pdf pdf_icon

HN3B01F

HN3B02FU TENTATIVE TOSHIBA Transistor Silicon PNPNPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3B02FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmQ1 High voltage : VCEO = -50V High current : I = -150mA (max) C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity : h (I = -0.1mA) / (I = -2mA) = 0.95 FE FE C C(typ.) Q2 High voltage : V = 60V CEO Hi

Другие транзисторы... HN2A01FE , HN2A01FU , HN2A26FS , HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , 2SC4793 , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J .

 

 
Back to Top

 


 
.