Справочник транзисторов. HN3C56FU

 

Биполярный транзистор HN3C56FU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN3C56FU
   Маркировка: 38
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: US6
 

 Аналог (замена) для HN3C56FU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN3C56FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  toshiba
 hn3c56fu.pdf pdf_icon

HN3C56FU

HN3C56FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C56FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = 50V, IC = 150mA (max) High hFE : hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1,

 9.1. Size:289K  toshiba
 hn3c51f.pdf pdf_icon

HN3C56FU

HN3C51F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN3C51F Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vo

Другие транзисторы... HN2C01FE , HN2C01FU , HN2C26FS , HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , A940 , HN3C61FU , HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J .

History: 2SC766 | 2SB828Q | CSA968A

 

 
Back to Top

 


 
.