Биполярный транзистор HN4A06J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN4A06J
Маркировка: 53
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SMV
HN4A06J Datasheet (PDF)
hn4a06j.pdf
HN4A06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A06J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-ba
hn4a08j.pdf
HN4A08J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A08J Low Frequency Power Amplifer Applications Unit: mmPower Switching Application High DC Current Gain : hFE = 100~320 Low Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.4V (Max.) : (IC = -500mA , IB = -20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050