Справочник транзисторов. HN4A06J

 

Биполярный транзистор HN4A06J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN4A06J
   Маркировка: 53
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SMV
 

 Аналог (замена) для HN4A06J

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4A06J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  toshiba
 hn4a06j.pdf pdf_icon

HN4A06J

HN4A06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A06J Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage : VCEO = -120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-ba

 9.1. Size:158K  toshiba
 hn4a08j.pdf pdf_icon

HN4A06J

HN4A08J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A08J Low Frequency Power Amplifer Applications Unit: mmPower Switching Application High DC Current Gain : hFE = 100~320 Low Saturation Voltage : VCE(sat)= -0.4V (Max.) : (IC = -500mA , IB = -20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base

Другие транзисторы... HN3A51F , HN3A56F , HN3B01F , HN3B02FU , HN3C51F , HN3C56FU , HN3C61FU , HN3C67FE , 2N2222A , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J , HN4B06J , HN4C05JU , HN4C06J .

 

 
Back to Top

 


 
.