HN4A06J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN4A06J

Маркировка: 53

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SMV

 Аналоги (замена) для HN4A06J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN4A06J даташит

 ..1. Size:278K  toshiba
 hn4a06j.pdf pdf_icon

HN4A06J

HN4A06J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A06J Unit mm Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage VCEO = -120V High hFE hFE = 200 700 Excellent hFE linearity hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-ba

 9.1. Size:158K  toshiba
 hn4a08j.pdf pdf_icon

HN4A06J

HN4A08J TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN4A08J Low Frequency Power Amplifer Applications Unit mm Power Switching Application High DC Current Gain hFE = 100 320 Low Saturation Voltage VCE(sat)= -0.4V (Max.) (IC = -500mA , IB = -20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base

Другие транзисторы: HN3A51F, HN3A56F, HN3B01F, HN3B02FU, HN3C51F, HN3C56FU, HN3C61FU, HN3C67FE, 2SC1815, HN4A08J, HN4A51J, HN4A56JU, HN4B01JE, HN4B04J, HN4B06J, HN4C05JU, HN4C06J