Биполярный транзистор HN4C05JU Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HN4C05JU
Маркировка: NA_NB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: USV
Аналог (замена) для HN4C05JU
HN4C05JU Datasheet (PDF)
hn4c05ju.pdf

HN4C05JU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C05JU Low Frequency Amplifier Applications Unit: mmMuting Applications Switching Applications Low Saturation Voltage : VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) :@ IC = 10mA/ IB = 0.5mA) High Collector Current :IC=400mA(Max.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCo
hn4c06j.pdf

HN4C06J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C06J Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage : VCEO = 120V High hFE : hFE = 200~700 Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) Low noise : NF = 1dB(typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol
hn4c08j.pdf

HN4C08J TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN4C08J Unit: mmLow Frequency Power Amplifer Applications Power Switching Application High DC Current Gain : hFE = 100~320 Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.4V (Max.) : (IC = 500mA , IB = 20mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base vol
Другие транзисторы... HN3C67FE , HN4A06J , HN4A08J , HN4A51J , HN4A56JU , HN4B01JE , HN4B04J , HN4B06J , BD135 , HN4C06J , HN4C08J , HN4C51J , RN1101ACT , RN1101CT , RN1101FS , RN1101MFV , RN1101 .
History: BUH517 | ST13005N | BUL45D2G | 2SC87 | NSVB1706DMW5T1G | 2SC2312 | CMPT930
History: BUH517 | ST13005N | BUL45D2G | 2SC87 | NSVB1706DMW5T1G | 2SC2312 | CMPT930



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21