Справочник транзисторов. RN1108CT

 

Биполярный транзистор RN1108CT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1108CT
   Маркировка: L7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT883 CST3
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1108CT Datasheet (PDF)

 8.1. Size:361K  toshiba
rn1107mfv rn1108mfv rn1109mfv.pdfpdf_icon

RN1108CT

RN1107MFV~RN1109MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107MFV,RN1108MFV,RN1109MFV Unit: mm1.2 0.05Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 11 Incorporating a bias resistor into the transistor reduc

 8.2. Size:129K  toshiba
rn1107fs rn1108fs rn1109fs.pdfpdf_icon

RN1108CT

RN1107FS~RN1109FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107FS,RN1108FS,RN1109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment

 9.1. Size:147K  toshiba
rn1101f-1106f xa-b-c-d-e-f sot490.pdfpdf_icon

RN1108CT

RN1101FRN1106F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101F,RN1102F,RN1103F RN1104F,RN1105F,RN1106F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2101F~RN2106F Equivalent

 9.2. Size:164K  toshiba
rn1107act rn1109act.pdfpdf_icon

RN1108CT

RN1107ACT ~ RN1109ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107ACT, RN1108ACT, RN1109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications TOP View 0.60.05 Extra small package(CST3) is applicable for extra high density 0.50.03 fabrication. Incorporating a bias resis

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.