Справочник транзисторов. RN1109CT

 

Биполярный транзистор RN1109CT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1109CT
   Маркировка: L8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT883 CST3
 

 Аналог (замена) для RN1109CT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1109CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  toshiba
rn1107ct rn1109ct.pdfpdf_icon

RN1109CT

RN1107CT ~ RN1109CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107CT,RN1108CT,RN1109CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.05Interface Circuit Applications 0.50.03Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of parts, which e

 8.1. Size:164K  toshiba
rn1107act rn1109act.pdfpdf_icon

RN1109CT

RN1107ACT ~ RN1109ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107ACT, RN1108ACT, RN1109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications TOP View 0.60.05 Extra small package(CST3) is applicable for extra high density 0.50.03 fabrication. Incorporating a bias resis

 8.2. Size:339K  toshiba
rn1107 rn1109.pdfpdf_icon

RN1109CT

RN1107~1109 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1107, RN1108, RN1109 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2107 to 2109 Equivalent Circuit and Bias Resistor V

 8.3. Size:361K  toshiba
rn1107mfv rn1108mfv rn1109mfv.pdfpdf_icon

RN1109CT

RN1107MFV~RN1109MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107MFV,RN1108MFV,RN1109MFV Unit: mm1.2 0.05Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 11 Incorporating a bias resistor into the transistor reduc

Другие транзисторы... RN1107MFV , RN1107 , RN1108ACT , RN1108CT , RN1108FS , RN1108MFV , RN1108 , RN1109ACT , BD136 , RN1109FS , RN1109MFV , RN1109 , RN1110ACT , RN1110CT , RN1110FS , RN1110MFV , RN1110 .

History: NTE97 | DTC144WSA | CD8550C

 

 
Back to Top

 


 
.