RN1109CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1109CT

Маркировка: L8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT883 CST3

 Аналоги (замена) для RN1109CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1109CT даташит

 ..1. Size:151K  toshiba
 rn1107ct rn1109ct.pdf pdf_icon

RN1109CT

RN1107CT RN1109CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107CT,RN1108CT,RN1109CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 Interface Circuit Applications 0.5 0.03 Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces the number of parts, which e

 8.1. Size:164K  toshiba
 rn1107act rn1109act.pdf pdf_icon

RN1109CT

RN1107ACT RN1109ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107ACT, RN1108ACT, RN1109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications TOP View 0.6 0.05 Extra small package(CST3) is applicable for extra high density 0.5 0.03 fabrication. Incorporating a bias resis

 8.2. Size:339K  toshiba
 rn1107 rn1109.pdf pdf_icon

RN1109CT

RN1107 1109 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1107, RN1108, RN1109 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2107 to 2109 Equivalent Circuit and Bias Resistor V

 8.3. Size:361K  toshiba
 rn1107mfv rn1108mfv rn1109mfv.pdf pdf_icon

RN1109CT

RN1107MFV RN1109MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107MFV,RN1108MFV,RN1109MFV Unit mm 1.2 0.05 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 1 1 Incorporating a bias resistor into the transistor reduc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1107MFV, RN1107, RN1108ACT, RN1108CT, RN1108FS, RN1108MFV, RN1108, RN1109ACT, BD136, RN1109FS, RN1109MFV, RN1109, RN1110ACT, RN1110CT, RN1110FS, RN1110MFV, RN1110