Биполярный транзистор 2N5701 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5701
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO129
Другие транзисторы... 2N5695 , 2N5696 , 2N5697 , 2N5698 , 2N5699 , 2N57 , 2N570 , 2N5700 , 2N3055 , 2N5702 , 2N5703 , 2N5704 , 2N5705 , 2N5706 , 2N5707 , 2N5708 , 2N5709 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050