Справочник транзисторов. RN1114MFV

 

Биполярный транзистор RN1114MFV Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1114MFV
   Маркировка: XQ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT723 VESM
 

 Аналог (замена) для RN1114MFV

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1114MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  toshiba
rn1114mfv rn1115mfv rn1116mfv rn1117mfv rn1118mfv.pdfpdf_icon

RN1114MFV

RN1114MFVRN1118MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114MFV,RN1115MFV,RN1116MFV,RN1117MFV,RN1118MFV Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Unit: mmDriver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.80 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufac

 8.1. Size:207K  toshiba
rn1114 rn1118.pdfpdf_icon

RN1114MFV

RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a

 8.2. Size:160K  toshiba
rn1114-rn1118.pdfpdf_icon

RN1114MFV

RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114~2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor

 8.3. Size:209K  toshiba
rn1114f rn1118f.pdfpdf_icon

RN1114MFV

RN1114F~RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.