RN1114MFV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1114MFV

Маркировка: XQ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT723 VESM

 Аналоги (замена) для RN1114MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1114MFV даташит

 ..1. Size:174K  toshiba
 rn1114mfv rn1115mfv rn1116mfv rn1117mfv rn1118mfv.pdf pdf_icon

RN1114MFV

RN1114MFV RN1118MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114MFV,RN1115MFV,RN1116MFV,RN1117MFV,RN1118MFV Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Unit mm Driver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.80 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufac

 8.1. Size:207K  toshiba
 rn1114 rn1118.pdf pdf_icon

RN1114MFV

RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a

 8.2. Size:160K  toshiba
 rn1114-rn1118.pdf pdf_icon

RN1114MFV

RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114 2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor

 8.3. Size:209K  toshiba
 rn1114f rn1118f.pdf pdf_icon

RN1114MFV

RN1114F RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1112MFV, RN1112, RN1113ACT, RN1113CT, RN1113FS, RN1113MFV, RN1113, RN1114F, A1015, RN1114, RN1115F, RN1115MFV, RN1115, RN1116FT, RN1116MFV, RN1116, RN1117FT