Справочник транзисторов. RN1118

 

Биполярный транзистор RN1118 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1118
   Маркировка: XW
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT416 SC75 SSM
 

 Аналог (замена) для RN1118

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1118 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  toshiba
rn1114 rn1118.pdfpdf_icon

RN1118

RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a

 0.1. Size:160K  toshiba
rn1114-rn1118.pdfpdf_icon

RN1118

RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114~2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor

 0.2. Size:209K  toshiba
rn1114f rn1118f.pdfpdf_icon

RN1118

RN1114F~RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi

 0.3. Size:187K  toshiba
rn1114ft rn1118ft.pdfpdf_icon

RN1118

RN1114FT~RN1118FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114FT, RN1115FT, RN1116FT, RN1117FT, RN1118FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Built-in bias resistors Enabling simplified circuit design Enabling reduction in the quantity of parts and manufacturing process Complementary to the RN2114F

Другие транзисторы... RN1116 , RN1117FT , RN1117F , RN1117MFV , RN1117 , RN1118FT , RN1118F , RN1118MFV , S9014 , RN1119MFV , RN1130MFV , RN1131MFV , RN1132MFV , RN1301 , RN1302 , RN1303 , RN1304 .

History: FJV4101R | 2SD707 | 2SC482 | FJNS4203R

 

 
Back to Top

 


 
.