Биполярный транзистор RN1322A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1322A
Маркировка: QB
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: SOT323 SC70 USM
RN1322A Datasheet (PDF)
9.1. Size:191K toshiba
rn1321a rn1327a.pdf
rn1321a rn1327a.pdf
RN1321ARN1327A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A RN1325A,RN1326A,RN1327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor,the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number of p
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050