RN1326A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1326A  📄📄 

Маркировка: QF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SOT323 SC70 USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1326A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1326A даташит

 9.1. Size:191K  toshiba
 rn1321a rn1327a.pdf pdf_icon

RN1326A

RN1321A RN1327A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1321A,RN1322A,RN1323A,RN1324A RN1325A,RN1326A,RN1327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor,the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number of p

Другие транзисторы: RN1316, RN1317, RN1318, RN1321A, RN1322A, RN1323A, RN1324A, RN1325A, A1013, RN1327A, RN1401, RN1402, RN1403, RN1404, RN1405, RN1406, RN1407