RN1426 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1426  📄📄 

Маркировка: QF

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT346 SC59 SMINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1426

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1426 даташит

 9.1. Size:552K  toshiba
 rn1421 rn1427.pdf pdf_icon

RN1426

RN1421 RN1427 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1421,RN1422,RN1423,RN1424 RN1425,RN1426,RN1427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications High current type (IC (max) = 800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and

Другие транзисторы: RN1416, RN1417, RN1418, RN1421, RN1422, RN1423, RN1424, RN1425, 2SC828, RN1427, RN1441, RN1442, RN1443, RN1444, RN1501, RN1502, RN1503