Биполярный транзистор 2N1171 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1171
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.17 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N1166 , 2N1166A , 2N1167 , 2N1167A , 2N1168 , 2N1169 , 2N117 , 2N1170 , 13007 , 2N1172 , 2N1173 , 2N1174 , 2N1175 , 2N1175A , 2N1175B , 2N1176 , 2N1176A .