RN1707JE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: RN1707JE 📄📄
Маркировка: XH
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для RN1707JE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
RN1707JE даташит
rn1707je-rn1709je.pdf
RN1707JE RN1709JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1707JE,RN1708JE,RN1709JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
rn1707-rn1709.pdf
RN1707 RN1709 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1707,RN1708,RN1709 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary
rn1701-rn1706.pdf
RN1701 RN1706 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1701,RN1702,RN1703 RN1704,RN1705,RN1706 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pr
rn1701je-rn1706je.pdf
RN1701JE RN1706JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1701JE,RN1702JE,RN1703JE RN1704JE,RN1705JE,RN1706JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans
Другие транзисторы: RN1703JE, RN1703, RN1704JE, RN1704, RN1705JE, RN1705, RN1706JE, RN1706, 2N2222A, RN1707, RN1708JE, RN1708, RN1709JE, RN1709, RN1710JE, RN1710, RN1711JE
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: NB021F | BF747 | NB123F | KRC412V | KRC822F | MMBT4403M3 | 2N3813
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet




