RN1710 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1710  📄📄 

Маркировка: XK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT353 SC88A USV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1710

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1710 даташит

 0.1. Size:110K  toshiba
 rn1710-rn1711.pdf pdf_icon

RN1710

RN1710,RN1711 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1710,RN1711 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2

 0.2. Size:110K  toshiba
 rn1710je-rn1711je.pdf pdf_icon

RN1710

RN1710JE,RN1711JE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1710JE,RN1711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

Другие транзисторы: RN1706, RN1707JE, RN1707, RN1708JE, RN1708, RN1709JE, RN1709, RN1710JE, A733, RN1711JE, RN1711, RN1901AFS, RN1901FE, RN1901FS, RN1901, RN1902AFS, RN1902FE