RN1909FE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1909FE  📄📄 

Маркировка: F8_XJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT563 ES6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1909FE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1909FE даташит

 0.1. Size:196K  toshiba
 rn1907fe-rn1909fe.pdf pdf_icon

RN1909FE

RN1907FE RN1909FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1907FE, RN1908FE, RN1909FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 7.1. Size:133K  toshiba
 rn1907fs rn1909fs.pdf pdf_icon

RN1909FE

RN1907FS RN1909FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1907FS, RN1908FS, RN1909FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bi

 8.1. Size:139K  toshiba
 rn1907-rn1909.pdf pdf_icon

RN1909FE

RN1907 RN1909 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1907,RN1908,RN1909 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary

 8.2. Size:146K  toshiba
 rn1907afs rn1909afs.pdf pdf_icon

RN1909FE

RN1907AFS RN1909AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1907AFS, RN1908AFS, RN1909AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) 1 6 package. Incorpora

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1907FE, RN1907FS, RN1907, RN1908AFS, RN1908FE, RN1908FS, RN1908, RN1909AFS, D965, RN1909FS, RN1909, RN1910AFS, RN1910FE, RN1910FS, RN1910, RN1911AFS, RN1911FE