Биполярный транзистор RN1909FE
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1909FE
Маркировка: F8_XJ
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора:
SOT563
ES6
Аналоги (замена) для RN1909FE
RN1909FE
Datasheet (PDF)
0.1. Size:196K toshiba
rn1907fe-rn1909fe.pdf RN1907FE~RN1909FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1907FE, RN1908FE, RN1909FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
7.1. Size:133K toshiba
rn1907fs rn1909fs.pdf RN1907FS~RN1909FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1907FS, RN1908FS, RN1909FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bi
8.1. Size:139K toshiba
rn1907-rn1909.pdf RN1907~RN1909 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1907,RN1908,RN1909 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary
8.2. Size:146K toshiba
rn1907afs rn1909afs.pdf RN1907AFS~RN1909AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1907AFS, RN1908AFS, RN1909AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) 1 6package. Incorpora
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.