Справочник транзисторов. RN1910

 

Биполярный транзистор RN1910 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1910
   Маркировка: XK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6
 

 Аналог (замена) для RN1910

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1910 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:133K  toshiba
rn1910afs rn1911afs.pdfpdf_icon

RN1910

RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia

 0.2. Size:145K  toshiba
rn1910fe-rn1911fe.pdfpdf_icon

RN1910

RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 0.3. Size:120K  toshiba
rn1910fs rn1911fs.pdfpdf_icon

RN1910

RN1910FS,RN1911FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FS,RN1911FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.80.05 0.10.050.10.05package. Incorporating a bias resistor into a

 0.4. Size:111K  toshiba
rn1910-rn1911.pdfpdf_icon

RN1910

RN1910,RN1911 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1910,RN1911 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2910,

Другие транзисторы... RN1908 , RN1909AFS , RN1909FE , RN1909FS , RN1909 , RN1910AFS , RN1910FE , RN1910FS , BC639 , RN1911AFS , RN1911FE , RN1911FS , RN1911 , RN1912AFS , RN1912FS , RN1913AFS , RN1913FS .

History: 2SC415 | MMBTA94-MS | 2SD1667 | BFW39 | BUY70C | 2SC4134T | CD932

 

 
Back to Top

 


 
.