RN1910 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1910  📄📄 

Маркировка: XK

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1910

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1910 даташит

 0.1. Size:133K  toshiba
 rn1910afs rn1911afs.pdf pdf_icon

RN1910

RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia

 0.2. Size:145K  toshiba
 rn1910fe-rn1911fe.pdf pdf_icon

RN1910

RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 0.3. Size:120K  toshiba
 rn1910fs rn1911fs.pdf pdf_icon

RN1910

RN1910FS,RN1911FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FS,RN1911FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resistor into a

 0.4. Size:111K  toshiba
 rn1910-rn1911.pdf pdf_icon

RN1910

RN1910,RN1911 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1910,RN1911 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2910,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1908, RN1909AFS, RN1909FE, RN1909FS, RN1909, RN1910AFS, RN1910FE, RN1910FS, BC556, RN1911AFS, RN1911FE, RN1911FS, RN1911, RN1912AFS, RN1912FS, RN1913AFS, RN1913FS