RN1911FE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RN1911FE
Маркировка: XM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT563 ES6
RN1911FE Datasheet (PDF)
rn1910fe-rn1911fe.pdf
RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing
rn1910fs rn1911fs.pdf
RN1910FS,RN1911FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FS,RN1911FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resistor into a
rn1910afs rn1911afs.pdf
RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia
rn1910-rn1911.pdf
RN1910,RN1911 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1910,RN1911 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2910,
Другие транзисторы... RN1909FE , RN1909FS , RN1909 , RN1910AFS , RN1910FE , RN1910FS , RN1910 , RN1911AFS , 2SD669 , RN1911FS , RN1911 , RN1912AFS , RN1912FS , RN1913AFS , RN1913FS , RN1961CT , RN1961FE .
History: 2SC5658RM3 | DTS3705 | GT403G
History: 2SC5658RM3 | DTS3705 | GT403G
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet





