Справочник транзисторов. RN1912AFS

 

Биполярный транзистор RN1912AFS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1912AFS
   Маркировка: CH
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT963 FS6
 

 Аналог (замена) для RN1912AFS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1912AFS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  toshiba
rn1912afs rn1913afs.pdfpdf_icon

RN1912AFS

RN1912AFS, RN1913AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1912AFS, RN1913AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm1.00.05Driver Circuit Applications 0.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias

 8.1. Size:141K  toshiba
rn1912fs rn1913fs.pdfpdf_icon

RN1912AFS

RN1912FS,RN1913FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1912FS,RN1913FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. Unit: mm Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 Incorporating a bias resistor into

 9.1. Size:133K  toshiba
rn1910afs rn1911afs.pdfpdf_icon

RN1912AFS

RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia

 9.2. Size:145K  toshiba
rn1910fe-rn1911fe.pdfpdf_icon

RN1912AFS

RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

Другие транзисторы... RN1910AFS , RN1910FE , RN1910FS , RN1910 , RN1911AFS , RN1911FE , RN1911FS , RN1911 , A1266 , RN1912FS , RN1913AFS , RN1913FS , RN1961CT , RN1961FE , RN1961FS , RN1961 , RN1962CT .

 

 
Back to Top

 


 
.