Биполярный транзистор RN1912AFS Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RN1912AFS
Маркировка: CH
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT963 FS6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
RN1912AFS Datasheet (PDF)
rn1912afs rn1913afs.pdf

RN1912AFS, RN1913AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1912AFS, RN1913AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm1.00.05Driver Circuit Applications 0.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias
rn1912fs rn1913fs.pdf

RN1912FS,RN1913FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1912FS,RN1913FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. Unit: mm Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 1.00.05package. 0.80.05 0.10.050.10.05 Incorporating a bias resistor into
rn1910afs rn1911afs.pdf

RN1910AFS, RN1911AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN1910AFS, RN1911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bia
rn1910fe-rn1911fe.pdf

RN1910FE,RN1911FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1910FE,RN1911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: RN1702JE | 2SA733K | BC183CP | BC183K | 2N5138 | 2N5606 | ME0401
History: RN1702JE | 2SA733K | BC183CP | BC183K | 2N5138 | 2N5606 | ME0401



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40