RN1961CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1961CT  📄📄 

Маркировка: J0

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: CST6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1961CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1961CT даташит

 ..1. Size:191K  toshiba
 rn1961ct rn1966ct.pdf pdf_icon

RN1961CT

RN1961CT RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

 8.1. Size:544K  toshiba
 rn1961fe rn1966fe.pdf pdf_icon

RN1961CT

RN1961FE RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 8.2. Size:130K  toshiba
 rn1961fs rn1962fs rn1963fs rn1964fs rn1965fs rn1966fs.pdf pdf_icon

RN1961CT

RN1961FS RN1966FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1

 8.3. Size:143K  toshiba
 rn1961-rn1966.pdf pdf_icon

RN1961CT

RN1961 RN1966 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1961,RN1962,RN1963 RN1964,RN1965,RN1966 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1911AFS, RN1911FE, RN1911FS, RN1911, RN1912AFS, RN1912FS, RN1913AFS, RN1913FS, 431, RN1961FE, RN1961FS, RN1961, RN1962CT, RN1962FE, RN1962FS, RN1962, RN1963CT