Справочник транзисторов. RN1964

 

Биполярный транзистор RN1964 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1964
   Маркировка: XXD
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN1964 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:130K  toshiba
rn1961fs rn1962fs rn1963fs rn1964fs rn1965fs rn1966fs.pdfpdf_icon

RN1964

RN1961FS~RN1966FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1

 9.1. Size:136K  toshiba
rn1967-rn1969.pdfpdf_icon

RN1964

RN1967~RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit:mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN

 9.2. Size:191K  toshiba
rn1961ct rn1966ct.pdfpdf_icon

RN1964

RN1961CT~RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.00.050.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

 9.3. Size:544K  toshiba
rn1961fe rn1966fe.pdfpdf_icon

RN1964

RN1961FE~RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.