RN1966CT - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN1966CT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN1966CT
   Маркировка: J5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: CST6

 Аналоги (замена) для RN1966CT

 

RN1966CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  toshiba
rn1961ct rn1966ct.pdfpdf_icon

RN1966CT

RN1961CT RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

 8.1. Size:544K  toshiba
rn1961fe rn1966fe.pdfpdf_icon

RN1966CT

RN1961FE RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 8.2. Size:130K  toshiba
rn1961fs rn1962fs rn1963fs rn1964fs rn1965fs rn1966fs.pdfpdf_icon

RN1966CT

RN1961FS RN1966FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications 1.0 0.05 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1

 8.3. Size:143K  toshiba
rn1961-rn1966.pdfpdf_icon

RN1966CT

RN1961 RN1966 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1961,RN1962,RN1963 RN1964,RN1965,RN1966 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Другие транзисторы... RN1964CT , RN1964FE , RN1964FS , RN1964 , RN1965CT , RN1965FE , RN1965FS , RN1965 , C945 , RN1966FE , RN1966FS , RN1966 , RN1967CT , RN1967FE , RN1967FS , RN1967 , RN1968CT .

History: ACY10 | KRA225M | R7249 | 2SC4259 | RN2112CT | 3DA4544O

 

 
Back to Top

 


 
.