Справочник транзисторов. RN1966FS

 

Биполярный транзистор RN1966FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1966FS
   Маркировка: J5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT963 FS6
 

 Аналог (замена) для RN1966FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1966FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  toshiba
rn1961fs rn1962fs rn1963fs rn1964fs rn1965fs rn1966fs.pdfpdf_icon

RN1966FS

RN1961FS~RN1966FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FS,RN1962FS,RN1963FS RN1964FS,RN1965FS,RN1966FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. 1

 7.1. Size:544K  toshiba
rn1961fe rn1966fe.pdfpdf_icon

RN1966FS

RN1961FE~RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 7.2. Size:193K  toshiba
rn1961fe-rn1966fe.pdfpdf_icon

RN1966FS

RN1961FE~RN1966FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961FE,RN1962FE,RN1963FE RN1964FE,RN1965FE,RN1966FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:191K  toshiba
rn1961ct rn1966ct.pdfpdf_icon

RN1966FS

RN1961CT~RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.00.050.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

Другие транзисторы... RN1964FS , RN1964 , RN1965CT , RN1965FE , RN1965FS , RN1965 , RN1966CT , RN1966FE , TIP41 , RN1966 , RN1967CT , RN1967FE , RN1967FS , RN1967 , RN1968CT , RN1968FE , RN1968FS .

History: BC109QF | 2SD2701 | SUR524H | KSH127I | 2N5782L | BUY53A | MJE5851G

 

 
Back to Top

 


 
.