RN1967CT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN1967CT  📄📄 

Маркировка: J6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: CST6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN1967CT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1967CT даташит

 ..1. Size:145K  toshiba
 rn1967ct rn1968ct rn1969ct.pdf pdf_icon

RN1967CT

RN1967CT RN1969CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967CT,RN1968CT,RN1969CT Switching Applications Unit mm 1.0 0.05 Inverter Circuit Applications 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)

 8.1. Size:136K  toshiba
 rn1967-rn1969.pdf pdf_icon

RN1967CT

RN1967 RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN

 8.2. Size:147K  toshiba
 rn1967fe-rn1969fe.pdf pdf_icon

RN1967CT

RN1967FE RN1969FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FE,RN1968FE,RN1969FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 8.3. Size:107K  toshiba
 rn1967fs rn1968fs rn1969fs.pdf pdf_icon

RN1967CT

RN1967FS RN1969FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.0 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1965CT, RN1965FE, RN1965FS, RN1965, RN1966CT, RN1966FE, RN1966FS, RN1966, BC548, RN1967FE, RN1967FS, RN1967, RN1968CT, RN1968FE, RN1968FS, RN1968, RN1969CT