Биполярный транзистор RN1967 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1967
Маркировка: XXH
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6
RN1967 Datasheet (PDF)
rn1967-rn1969.pdf
RN1967~RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit:mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN
rn1967ct rn1968ct rn1969ct.pdf
RN1967CT~RN1969CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967CT,RN1968CT,RN1969CT Switching Applications Unit: mm1.00.05Inverter Circuit Applications 0.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)
rn1967fe-rn1969fe.pdf
RN1967FE~RN1969FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FE,RN1968FE,RN1969FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
rn1967fs rn1968fs rn1969fs.pdf
RN1967FS~RN1969FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm1.00.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 0.80.05 0.10.050.10.05package. Incorporating a bias resis
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
