Справочник транзисторов. RN1968

 

Биполярный транзистор RN1968 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1968
   Маркировка: XXI
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6
 

 Аналог (замена) для RN1968

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1968 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:145K  toshiba
rn1967ct rn1968ct rn1969ct.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967CT~RN1969CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967CT,RN1968CT,RN1969CT Switching Applications Unit: mm1.00.05Inverter Circuit Applications 0.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)

 0.2. Size:107K  toshiba
rn1967fs rn1968fs rn1969fs.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967FS~RN1969FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm1.00.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 0.80.05 0.10.050.10.05package. Incorporating a bias resis

 9.1. Size:136K  toshiba
rn1967-rn1969.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967~RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit:mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN

 9.2. Size:191K  toshiba
rn1961ct rn1966ct.pdfpdf_icon

RN1968

RN1961CT~RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 1.00.050.150.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

Другие транзисторы... RN1966 , RN1967CT , RN1967FE , RN1967FS , RN1967 , RN1968CT , RN1968FE , RN1968FS , TIP3055 , RN1969CT , RN1969FE , RN1969FS , RN1969 , RN1970CT , RN1970FE , RN1970FS , RN1970 .

History: 2SC2955 | BFW17 | BC200R

 

 
Back to Top

 


 
.