RN1968 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RN1968 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RN1968
   Маркировка: XXI
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363 SC88 US6

 Аналоги (замена) для RN1968

 

RN1968 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:145K  toshiba
rn1967ct rn1968ct rn1969ct.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967CT RN1969CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967CT,RN1968CT,RN1969CT Switching Applications Unit mm 1.0 0.05 Inverter Circuit Applications 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin)

 0.2. Size:107K  toshiba
rn1967fs rn1968fs rn1969fs.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967FS RN1969FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1967FS,RN1968FS,RN1969FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.0 0.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 0.8 0.05 0.1 0.05 0.1 0.05 package. Incorporating a bias resis

 9.1. Size:136K  toshiba
rn1967-rn1969.pdfpdf_icon

RN1968

RN1967 RN1969 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1967,RN1968,RN1969 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN

 9.2. Size:191K  toshiba
rn1961ct rn1966ct.pdfpdf_icon

RN1968

RN1961CT RN1966CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1961CT,RN1962CT,RN1963CT RN1964CT,RN1965CT,RN1966CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 1.0 0.05 0.15 0.03 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Two devices are incorporated into a fine pitch Sma

Другие транзисторы... RN1966 , RN1967CT , RN1967FE , RN1967FS , RN1967 , RN1968CT , RN1968FE , RN1968FS , A1015 , RN1969CT , RN1969FE , RN1969FS , RN1969 , RN1970CT , RN1970FE , RN1970FS , RN1970 .

History: MJD2955T4G

 

 
Back to Top

 


 
.