Справочник транзисторов. RN1970FE

 

Биполярный транзистор RN1970FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1970FE
   Маркировка: XXK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 

 Аналог (замена) для RN1970FE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1970FE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  toshiba
rn1970fe-rn1971fe.pdfpdf_icon

RN1970FE

RN1970FE,RN1971FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970FE,RN1971FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Unit: mmCircuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing

 7.1. Size:116K  toshiba
rn1970fs rn1971fs.pdfpdf_icon

RN1970FE

RN1970FS,RN1971FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970FS,RN1971FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) 1.00.05package 0.80.05 0.10.050.10.05 Incorporating a bias resistor into a tr

 8.1. Size:139K  toshiba
rn1970ct rn1971ct.pdfpdf_icon

RN1970FE

RN1970CT, RN1971CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1970CT,RN1971CT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.150.03 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6 pin) package. Incorporating a bias resistor into a trans

 8.2. Size:114K  toshiba
rn1970-rn1971.pdfpdf_icon

RN1970FE

RN1970,RN1971 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1970,RN1971 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2970~R

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BF458 | 2DI100D-050 | BC141-10 | BF436

 

 
Back to Top

 


 
.