Справочник транзисторов. 2N5736

 

Биполярный транзистор 2N5736 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5736
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5736 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:51K  inchange semiconductor
 2n5739.pdf pdf_icon

2N5736

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5739 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.2. Size:129K  inchange semiconductor
 2n5732.pdf pdf_icon

2N5736

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5732 DESCRIPTION With TO-3 package High current capability APPLICATIONS For linear amplifier and inductive switching applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAME

 9.3. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5738.pdf pdf_icon

2N5736

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5738 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -100V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.4. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5737.pdf pdf_icon

2N5736

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5737 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N5729 , 2N573 , 2N5730 , 2N5731 , 2N5732 , 2N5733 , 2N5734 , 2N5735 , S9014 , 2N5737 , 2N5738 , 2N5739 , 2N574 , 2N5740 , 2N5741 , 2N5742 , 2N5743 .

History: BUYP53 | 2N5331 | BC183CP | BC183K | 2N5781 | 2N5606 | ME0401

 

 
Back to Top

 


 
.