2N5737 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5737  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5737

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5737 даташит

 ..1. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5737.pdf pdf_icon

2N5737

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5737 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.1. Size:51K  inchange semiconductor
 2n5739.pdf pdf_icon

2N5737

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5739 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -60V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.2. Size:129K  inchange semiconductor
 2n5732.pdf pdf_icon

2N5737

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5732 DESCRIPTION With TO-3 package High current capability APPLICATIONS For linear amplifier and inductive switching applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 9.3. Size:36K  inchange semiconductor
 2n5738.pdf pdf_icon

2N5737

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2N5738 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= -100V(Min.) Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= -0.5V(Max.)@ IC= -5A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N573, 2N5730, 2N5731, 2N5732, 2N5733, 2N5734, 2N5735, 2N5736, 2SC2073, 2N5738, 2N5739, 2N574, 2N5740, 2N5741, 2N5742, 2N5743, 2N5744