RN2107CT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RN2107CT
Маркировка: U6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT883 CST3
RN2107CT Datasheet (PDF)
rn2107ct rn2109ct.pdf
RN2107CT RN2109CT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107CT,RN2108CT,RN2109CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications Top View Interface Circuit Applications 0.6 0.05 0.5 0.03 Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
rn2107 rn2108 rn2109.pdf
RN2107 RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf
RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip
rn2107ft-rn2109ft.pdf
RN2107FT RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p
Другие транзисторы... RN2105MFV , RN2105 , RN2106ACT , RN2106CT , RN2106FS , RN2106MFV , RN2106 , RN2107ACT , 2N4401 , RN2107FS , RN2107MFV , RN2107 , RN2108ACT , RN2108CT , RN2108FS , RN2108MFV , RN2108 .
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
History: MRF654 | DCX114TU | 2SC386
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet









