Справочник транзисторов. RN2109ACT

 

Биполярный транзистор RN2109ACT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2109ACT
   Маркировка: C8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT883 CST3
 

 Аналог (замена) для RN2109ACT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2109ACT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  toshiba
rn2107act rn2109act.pdfpdf_icon

RN2109ACT

RN2107ACT~RN2109ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107ACT,RN2108ACT,RN2109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Top View 0.60.050.50.03 Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication. Incorporating a bias resistor

 8.1. Size:177K  toshiba
rn2107 rn2108 rn2109.pdfpdf_icon

RN2109ACT

RN2107RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107~RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T

 8.2. Size:162K  toshiba
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdfpdf_icon

RN2109ACT

RN2107FS~RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 8.3. Size:146K  toshiba
rn2107ft-rn2109ft.pdfpdf_icon

RN2109ACT

RN2107FT~RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: AUY18-5 | SZD1733 | KC860W | CHFMG2GP | 2SD1392 | BF579

 

 
Back to Top

 


 
.