Справочник транзисторов. RN2109F

 

Биполярный транзистор RN2109F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2109F
   Маркировка: XJ_YJ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM
 

 Аналог (замена) для RN2109F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2109F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  toshiba
rn2107f rn2109f.pdfpdf_icon

RN2109F

RN2107FRN2109F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107F,RN2108F,RN2109F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107F~RN1109F Equivalent Circuit and Bias Resister Valu

 0.1. Size:162K  toshiba
rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdfpdf_icon

RN2109F

RN2107FS~RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 0.2. Size:146K  toshiba
rn2107ft-rn2109ft.pdfpdf_icon

RN2109F

RN2107FT~RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p

 0.3. Size:82K  toshiba
rn2107f-rn2109f.pdfpdf_icon

RN2109F

RN2107FRN2109F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107F,RN2108F,RN2109F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107F~RN1109F Equivalent Circuit and Bias Resister V

Другие транзисторы... RN2108ACT , RN2108CT , RN2108FS , RN2108MFV , RN2108 , RN2109ACT , RN2109CT , RN2109FS , BC549 , RN2109MFV , RN2109 , RN2110ACT , RN2110CT , RN2110FS , RN2110MFV , RN2110 , RN2111ACT .

 

 
Back to Top

 


 
.