RN2109F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2109F  📄📄 

Маркировка: XJ_YJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2109F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2109F даташит

 ..1. Size:326K  toshiba
 rn2107f rn2109f.pdf pdf_icon

RN2109F

RN2107F RN2109F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107F,RN2108F,RN2109F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107F RN1109F Equivalent Circuit and Bias Resister Valu

 0.1. Size:162K  toshiba
 rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf pdf_icon

RN2109F

RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 0.2. Size:146K  toshiba
 rn2107ft-rn2109ft.pdf pdf_icon

RN2109F

RN2107FT RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p

 0.3. Size:82K  toshiba
 rn2107f-rn2109f.pdf pdf_icon

RN2109F

RN2107F RN2109F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107F,RN2108F,RN2109F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107F RN1109F Equivalent Circuit and Bias Resister V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2108ACT, RN2108CT, RN2108FS, RN2108MFV, RN2108, RN2109ACT, RN2109CT, RN2109FS, 2SD669, RN2109MFV, RN2109, RN2110ACT, RN2110CT, RN2110FS, RN2110MFV, RN2110, RN2111ACT