RN2109MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2109MFV  📄📄 

Маркировка: YJ.

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT723 VESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2109MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2109MFV даташит

 ..1. Size:194K  toshiba
 rn2107mfv rn2108mfv rn2109mfv.pdf pdf_icon

RN2109MFV

RN2107MFV RN2109MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107MFV,RN2108MFV,RN2109MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0.8 0.05 enabling the ma

 8.1. Size:177K  toshiba
 rn2107 rn2108 rn2109.pdf pdf_icon

RN2109MFV

RN2107 RN2109 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2107,RN2108,RN2109 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1107 RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resister Values T

 8.2. Size:162K  toshiba
 rn2107fs rn2108fs rn2109fs.pdf pdf_icon

RN2109MFV

RN2107FS RN2109FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FS,RN2108FS,RN2109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equip

 8.3. Size:146K  toshiba
 rn2107ft-rn2109ft.pdf pdf_icon

RN2109MFV

RN2107FT RN2109FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2107FT, RN2108FT, RN2109FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2108CT, RN2108FS, RN2108MFV, RN2108, RN2109ACT, RN2109CT, RN2109FS, RN2109F, 2SC2383, RN2109, RN2110ACT, RN2110CT, RN2110FS, RN2110MFV, RN2110, RN2111ACT, RN2111CT