Справочник транзисторов. RN2110FS

 

Биполярный транзистор RN2110FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2110FS
   Маркировка: U9_XK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: FSM
 

 Аналог (замена) для RN2110FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2110FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  toshiba
rn2110fs rn2111fs.pdfpdf_icon

RN2110FS

RN2110FS,RN2111FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FS,RN2111FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save a

 7.1. Size:122K  toshiba
rn2110ft-rn2111ft.pdfpdf_icon

RN2110FS

RN2110FT,RN2111FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FT,RN2111FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 7.2. Size:109K  toshiba
rn2110f-rn2111f.pdfpdf_icon

RN2110FS

RN2110F,RN2111F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2110F,RN2111F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit : mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1110F, RN1111F Equivalent Circuit Maximum Ratings (Ta = 25C

 8.1. Size:102K  toshiba
rn2110-rn2111.pdfpdf_icon

RN2110FS

RN2110,RN2111 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2110,RN2111 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1110, RN1111 Equivalent Circuit Maximum Ratings (Ta = 25C) Cha

Другие транзисторы... RN2109ACT , RN2109CT , RN2109FS , RN2109F , RN2109MFV , RN2109 , RN2110ACT , RN2110CT , 13001-A , RN2110MFV , RN2110 , RN2111ACT , RN2111CT , RN2111FS , RN2111F , RN2111MFV , RN2111 .

 

 
Back to Top

 


 
.