RN2110MFV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2110MFV  📄📄 

Маркировка: YK.

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT723 VESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2110MFV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2110MFV даташит

 ..1. Size:163K  toshiba
 rn2110mfv rn2111mfv.pdf pdf_icon

RN2110MFV

RN2110MFV,RN2111MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110MFV,RN2111MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Ultra-small package, suited to very high density mounting 1.2 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so 0

 8.1. Size:102K  toshiba
 rn2110-rn2111.pdf pdf_icon

RN2110MFV

RN2110,RN2111 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2110,RN2111 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1110, RN1111 Equivalent Circuit Maximum Ratings (Ta = 25 C) Cha

 8.2. Size:114K  toshiba
 rn2110fs rn2111fs.pdf pdf_icon

RN2110MFV

RN2110FS,RN2111FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FS,RN2111FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save a

 8.3. Size:122K  toshiba
 rn2110ft-rn2111ft.pdf pdf_icon

RN2110MFV

RN2110FT,RN2111FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2110FT,RN2111FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2109CT, RN2109FS, RN2109F, RN2109MFV, RN2109, RN2110ACT, RN2110CT, RN2110FS, 2SC828, RN2110, RN2111ACT, RN2111CT, RN2111FS, RN2111F, RN2111MFV, RN2111, RN2112ACT