RN2113F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2113F  📄📄 

Маркировка: XP_YP

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT490 SC81 ESM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2113F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2113F даташит

 ..1. Size:276K  toshiba
 rn2112f rn2113f.pdf pdf_icon

RN2113F

RN2112F,RN2113F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2112F,RN2113F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1112F, RN1113F Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (

 0.1. Size:94K  toshiba
 rn2112fs rn2113fs.pdf pdf_icon

RN2113F

RN2112FS,RN2113FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112FS, RN2113FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowe

 0.2. Size:124K  toshiba
 rn2112ft-rn2113ft.pdf pdf_icon

RN2113F

RN2112FT,RN2113FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2112FT,RN2113FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 8.1. Size:290K  toshiba
 rn2112mfv rn2113mfv.pdf pdf_icon

RN2113F

RN2112MFV,RN2113MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2112MFV,RN2113MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.2 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 0.8 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN2112ACT, RN2112CT, RN2112FS, RN2112MFV, RN2112, RN2113ACT, RN2113CT, RN2113FS, TIP41C, RN2113MFV, RN2113, RN2114MFV, RN2114, RN2115F, RN2115MFV, RN2115, RN2116FT