Биполярный транзистор RN2118
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN2118
Маркировка: YW
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
SOT416
SC75
SSM
Аналоги (замена) для RN2118
RN2118
Datasheet (PDF)
..1. Size:161K toshiba
rn2114 rn2118.pdf RN2114RN2118 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114, RN2115, RN2116, RN2117, RN2118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Built-in bias resistors Simplified circuit design Fewer parts and simplified manufacturing process Complementary to RN1107 ~ RN1109 Equivalent Circuit and Bias Resistor V
0.1. Size:175K toshiba
rn2114ft rn2118ft.pdf RN2114FTRN2118FT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114FT, RN2115FT, RN2116FT, RN2117FT, RN2118FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Built-in bias resistors Enabling simplified circuit design Enabling reduction in the quantity of parts and manufacturing process Complementary to the RN1114FT
0.2. Size:179K toshiba
rn2114f rn2118f.pdf RN2114FRN2118F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114F,RN2115F,RN2116F,RN2117F,RN2118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit: mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1114F~RN1118F Equivalent Circuit and B
0.3. Size:200K toshiba
rn2114mfv rn2115mfv rn2116mfv rn2117mfv rn2118mfv.pdf RN2114MFVRN2118MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2114MFV,RN2115MFV,RN2116MFV RN2117MFV,RN2118MFV Unit: mmSwitching Applications Inverter Circuit Applications 1.20.05 0.80.05 Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 1 Ultra-small package, suited to very high density mounting 2 3 Incorporating a bias resis
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.