RN2327A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2327A  📄📄 

Маркировка: RG

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SOT323 SC70 USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2327A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2327A даташит

 ..1. Size:191K  toshiba
 rn2321a rn2327a.pdf pdf_icon

RN2327A

RN2321A RN2327A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2321A,RN2322A,RN2323A,RN2324A RN2325A,RN2326A,RN2327A Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm High current driving is possible. Since bias resisters are built in the transistor, the miniaturization of the apparatus by curtailment of the number

Другие транзисторы: RN2317, RN2318, RN2321A, RN2322A, RN2323A, RN2324A, RN2325A, RN2326A, TIP31, RN2401, RN2402, RN2403, RN2404, RN2405, RN2406, RN2407, RN2408