RN2421 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2421  📄📄 

Маркировка: RA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT346 SC59 SMINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2421

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2421 даташит

 0.1. Size:159K  toshiba
 rn2421-rn2427.pdf pdf_icon

RN2421

RN2421 RN2427 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2421,RN2422,RN2423,RN2424 RN2425,RN2426,RN2427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications High current type (IC(MAX) = -800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Low V CE (

Другие транзисторы: RN2411, RN2412, RN2413, RN2414, RN2415, RN2416, RN2417, RN2418, 2222A, RN2422, RN2423, RN2424, RN2425, RN2426, RN2427, RN2501, RN2502