RN2509 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RN2509  📄📄 

Маркировка: YJ

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT25 SC74A SMV

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RN2509

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2509 даташит

 0.1. Size:137K  toshiba
 rn2507-rn2509.pdf pdf_icon

RN2509

RN2507 RN2509 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2507,RN2508,RN2509 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit in mm And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to

 9.1. Size:148K  toshiba
 rn2501-rn2506.pdf pdf_icon

RN2509

RN2501 RN2506 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2501,RN2502,RN2503 RN2504,RN2505,RN2506 Unit mm Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in SMV (super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Другие транзисторы: RN2501, RN2502, RN2503, RN2504, RN2505, RN2506, RN2507, RN2508, 2N2907, RN2510, RN2511, RN2601, RN2602, RN2603, RN2604, RN2605, RN2606