2N5759 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5759  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5759

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5759 даташит

 ..1. Size:11K  semelab
 2n5759.pdf pdf_icon

2N5759

2N5759 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 120V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 6A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 ..2. Size:129K  jmnic
 2n5758 2n5759 2n5760.pdf pdf_icon

2N5759

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

 ..3. Size:118K  inchange semiconductor
 2n5758 2n5759 2n5760.pdf pdf_icon

2N5759

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outlin

 9.1. Size:183K  motorola
 2n5758re.pdf pdf_icon

2N5759

Order this document MOTOROLA by 2N5758/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5745 (See 2N4398) 2N5758 High-Voltage High-Power Silicon Transistors 6 AMPERE . . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage POWER TRANSISTOR switching regulator circuits. NPN SILICON High Collector Emitter Sustaining Voltage 100 140 VOLTS VCEO(sus) = 100 Vdc (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5741, 2N5742, 2N5743, 2N5744, 2N5745, 2N574A, 2N575, 2N5758, TIP35C, 2N575A, 2N576, 2N5760, 2N5761, 2N5762, 2N5763, 2N5764, 2N5765