Биполярный транзистор RN2705JE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN2705JE
Маркировка: YE
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT553 ESV
RN2705JE Datasheet (PDF)
rn2701-rn2706.pdf
RN2701~RN2706 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2701,RN2702,RN2703,RN2704,RN2705,RN2706 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing proc
rn2701je-rn2706je.pdf
RN2701JE~RN2706JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2701JE,RN2702JE,RN2703JE RN2704JE,RN2705JE,RN2706JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transis
rn2707je-rn2709je.pdf
RN2707JE~RN2709JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2707JE,RN2708JE,RN2709JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Re
rn2707-rn2709.pdf
RN2707~RN2709 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2707,RN2708,RN2709 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: MA889 | 2N3865 | KT920B | SGSF421 | 2SA1302O
History: MA889 | 2N3865 | KT920B | SGSF421 | 2SA1302O
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050