Биполярный транзистор 2N5763 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5763
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO18
2N5763 Datasheet (PDF)
2n5769.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologies2N5769C TO-92BENPN Switching TransistorThis device is designed for high speed saturated switchingapplications at currents to 100 mA. Sourced from Process 21.See PN2369A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VV Collector-Base Voltage
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
2n5758 2n5759 2n5760.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5758 2N5759 2N5760 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage Excellent safe operating area APPLICATIONS For use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outlin
Другие транзисторы... 2N575 , 2N5758 , 2N5759 , 2N575A , 2N576 , 2N5760 , 2N5761 , 2N5762 , BD777 , 2N5764 , 2N5765 , 2N5766 , 2N5767 , 2N5768 , 2N5769 , 2N576A , 2N5770 .
